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vwin德赢体育APP成立于2014年,坐落于广州高新技术开发区科学城;拥有一支以博士、硕士为主导的研发团队,依托西安电子科技大学和上海交通大学集成电路的人才优势,建立上海、西安研发中心;自主设计能力雄厚,创新能力强。

公司成立以来,专注于MOSFET、IGBT、功率IC等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售;选择最先进的生产工艺和产线,应用前沿、规范的设计流程,为客户提供最大的产品价值和稳定的品质;系列产品广泛应用于家电、消费电子、电动工具、新能源行业及产品等领域,并随新兴产业发展持续精进。

经过多年的技术积累和创兴,高效性能和优良品质以及服务,得到国内外客户的认可,拥有良好行业口碑。

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新闻中心
2022-03-18

行业新闻

怎么选场效应管?
一:如何取舍好MOS管 第一步是决议采纳N沟道还是P沟道MOS管。正在垂范的功率使用中,当一度MOS管接地,而负载联接到支线电压上时,该MOS管就构成了高压侧电门。正在高压侧电门中,应采纳N沟道MOS管,这是出于对于开放或者导通机件所需电压的思忖。当MOS管联接到总线及负载接地时,就要用低压侧开关。一般会正在某个拓扑中采纳P沟道MOS管,这也是出于对于电压驱动的思忖。肯定所需的额外电压,或者许机件所能接受的最大电压。
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2022-03-18

行业新闻

场效应管工作原理
场效应结晶体管(FieldEffect Transistor缩写(FET))职称场效应管。由少数载流子参加导热,也称为多极型结晶体管。它归于电压掌握型半超导体机件。存正在输出电阻高(10^8~10^9Ω)、噪音小、功耗低、静态范畴大、易于集成、没有二次击穿景象、保险任务海域宽等长处,现已变化双极型结晶体管和功率结晶体管的壮大合作者
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2022-03-21

公司新闻

MOS管烧坏的原因-解析MOS管为什么会被烧毁
MOS管烧坏的原因主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开通过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内,mos即会正常工作,超出承受范围,即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗,不同mos这个差距可能很大。
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2022-03-21

公司新闻

场效应管知识-场效应管代换原则、好坏、判断与特点
场效应管代换原则与好坏判断详解,先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池),把负表笔(黑)接栅极(G),正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电,此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω挡,将负表笔接漏极(D),正笔接源极(S),万用表指示值若为几欧姆,则说明场效应管是好的。
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